Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals
Compositional variation in Si-rich SiGe single crystals grown by multi-component zone melting method using Si seed and source crystals
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DOI：
10.1016/s0022-0248(02)00940-5
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发表时间：
2002-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Nakajima;T. Kusunoki;Y. Azuma;N. Usami;K. Fujiwara;T. Ujihara;G. Sazaki;T. Shishido
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nakajima;T. Kusunoki;Y. Azuma;N. Usami;K. Fujiwara;T. Ujihara;G. Sazaki;T. Shishido
