T.Sekiguchi,Y.Miyamoto,and K.Furuya: "Influence of impurities on the performance of doped well GaInAs/InP resonant tunneling diode" Jpn.J.Appl.Phys.32. L243-L246 (1993)
T.Sekiguchi,Y.Miyamoto,and K.Furuya: "Influence of impurities on the performance of doped well GaInAs/InP resonant tunneling diode" Jpn.J.Appl.Phys.32. L243-L246 (1993)
复制标题
T.Sekiguchi、Y.Miyamoto 和 K.Furuya：“杂质对掺杂阱 GaInAs/InP 谐振隧道二极管性能的影响”Jpn.J.Appl.Phys.32。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
