第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa2Oの吸着に関する研究
第一原理計算によるGaN(0001)表面へのGa2Oの吸着に関する研究
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利用第一性原理计算研究Ga2O在GaN(0001)表面的吸附
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaharu Yoshiba;Chun-Yi Chen;Tso-Fu Mark Chang;Takashi Nagoshi;Daisuke Yamane;Katsuyuki Machida;Kazuya Masu;Masato Sone;河村貴宏，北本啓，今出完，吉村政志，森勇介，森川良忠
