(001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性
(001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性
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(001)Si 衬底上半极性 InGaN 光腔的受激发射特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
久志本真希
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Maki Kushimoto;Yoshio Honda;Hiroshi Amano;Maki Kushimoto;久志本真希
