Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder
Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder
复制标题
界面晶格无序的硅纳米线镍化率提高
DOI：
10.1063/1.4999195
复制
发表时间：
2017
影响因子：
3.2
通讯作者：
Watanabe Takanobu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hashimoto Shuichiro;Yokogawa Ryo;Oba Shunsuke;Asada Shuhei;Xu Taiyu;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Matsukawa Takashi;Masahara Meishoku;Watanabe Takanobu
