H atom-indeed oxidation reaction on water-terminated Si surface, 2H+H_2O/Si(100)-(2x1) : A theoretical study

H atom-indeed oxidation reaction on water-terminated Si surface, 2H+H_2O/Si(100)-(2x1) : A theoretical study
复制标题

水封端Si表面的H原子氧化反应,2H H_2O/Si(100)-(2x1):理论研究

DOI:
--
复制
发表时间:
2005
期刊:
Chem.Phys.Lett 412
影响因子:
--
通讯作者:
Kenta Ooi
Kenta Ooi
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Hidekazu Watanabe;Zhi-Hong Wang;Shinkoh Nanbu;Jun Maki;Tsuneo Urisu;Mutsumi Aoyagi;Kenta Ooi

文献摘要

相似文献