"Roughness Increase on Surface and Interface of SiO2 Grown on Atomically Flat Si(111)Terrace", The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3), (Tokyo, May 5-6,2009)
"Roughness Increase on Surface and Interface of SiO2 Grown on Atomically Flat Si(111)Terrace", The Third International Symposium on Atomic Technology(ISAT-3), (Tokyo, May 5-6,2009)
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“Roughness Improvement on Surface and Interface of SiO2 Grown on Atomic Flat Si(111) Terrace”，第三届国际原子技术研讨会(ISAT-3)，（东京，2009 年 5 月 5 日至 6 日）
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yamabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Ohsawa;Y.Hayashi;R.Hasunuma;K.Yamabe
