自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善
自己形成GaAsナノホールを用いたGaSb/GaAs層上近接積層InAs量子ドットの発光特性改善
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利用自形成的 GaAs 纳米孔改善紧密堆叠在 GaSb/GaAs 层上的 InAs 量子点的发光性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口浩一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
関口修司;山口浩一
