Local electrostatic gating in InAs/GaSb quantum wells
Local electrostatic gating in InAs/GaSb quantum wells
复制标题
InAs/GaSb 量子阱中的局部静电门控
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Muraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Couëdo;H. Irie;T. Akiho;K. Suzuki;K. Onomitsu;K. Muraki
