Y.Shimamune et al: "Very Low-Resistive Si Epitaxial Growth at 450℃ by Alternately Supplied PH_3 and SiH_4"Abs.of Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology (29th IUVSTA Workshop). 266-269 (2000)
Y.Shimamune et al: "Very Low-Resistive Si Epitaxial Growth at 450℃ by Alternately Supplied PH_3 and SiH_4"Abs.of Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology (29th IUVSTA Workshop). 266-269 (2000)
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Y. Shimamune 等人：“交替供应 PH_3 和 SiH_4 在 450℃ 下实现极低电阻硅外延生长”Abs.of 选择性和功能薄膜沉积技术应用于 ULSI 技术研讨会（第 29 届 IUVSTA 研讨会）。 2000)
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