Nonreciprocal charge transport up to room temperature in bulk Rashba semiconductor α-GeTe
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DOI：
10.1038/s41467-020-20840-7
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发表时间：
2021
影响因子：
16.6
通讯作者：
Xi-xiang Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yan Li;Yang Li;Peng Li;Bin Fang;Xu Yang;Yan Wen;Dong-xing Zheng;Chen-hui Zhang;Xin He;Aurélien Manchon;Zhao-Hua Cheng;Xi-xiang Zhang
