AlGaN/GaN field effect transistors for power electronics-Effect of finite GaN layer thickness on thermal characteristics
AlGaN/GaN field effect transistors for power electronics-Effect of finite GaN layer thickness on thermal characteristics
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电力电子用 AlGaN/GaN 场效应晶体管 - 有限 GaN 层厚度对热特性的影响
DOI：
10.1063/1.4831688
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发表时间：
2013
影响因子：
4
通讯作者：
Hodges C
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hodges C
