Current Status of GaN and Related Compounds, as Wide-Gap Semiconductors
Current Status of GaN and Related Compounds, as Wide-Gap Semiconductors
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GaN 及相关化合物作为宽禁带半导体的现状
DOI：
10.1016/0022-0248(92)90496-6
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Matsuoka
