Interface induced enhancement of inverse spin Hall voltage in NiFe/Pt bilayers capped by MgO layer
Interface induced enhancement of inverse spin Hall voltage in NiFe/Pt bilayers capped by MgO layer
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MgO 层覆盖的 NiFe/Pt 双层中反自旋霍尔电压的界面诱导增强
DOI：
10.1088/1361-648x/ab172a
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发表时间：
2019-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhan X Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhu T;Chang F F;Zhan X Z
在铁磁/重金属双层膜中，在铁磁共振（FMR）条件下可以产生自旋电流，然后通过逆自旋霍尔效应（ISHE）在相邻的重金属中转化为电荷电流。在这里，我们报告的实验观察界面诱导ISHE增强NiFe/Pt双层覆盖MgO层。与裸NiFe/Pt双层膜相比，Pt/MgO界面诱导了具有很薄Pt层的NiFe/Pt/MgO三层膜中自旋-电荷转换的增强，与相应的吉尔伯特阻尼增强趋势一致.当Pt的厚度小于1.6nm时，ISHE诱导的电荷电流有约70%的增强。这些结果为通过界面工程提高自旋-电荷转换效率开辟了一条新的途径。
In ferromagnet/heavy metal bilayers, a spin current can be generated under the ferromagnetic resonance (FMR) condition, and then converted into a charge current in adjacent nonmagnetic metals through inverse spin Hall effect (ISHE). Here, we report an experimental observation of interface induced ISHE enhancement in NiFe/Pt bilayers covered by MgO layer. Compared to bare NiFe/Pt bilayers, Pt/MgO interface induces an enhancement of the spin-charge conversion in the NiFe/Pt/MgO trilayers with very thin Pt layers, in agreement with the corresponding trend of Gilbert damping enhancement. When the thickness of Pt is below 1.6 nm, the ISHE induced charge current has about 70% enhancement. These results open a new pathway to improve the spin-charge conversion efficiency by interface engineering.
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DOI：
10.1016/b978-0-12-398374-9.09989-7
发表时间：
2013
期刊：
Experimental Methods in The Physical Sciences
影响因子：
--
作者：
J. Dawidowski;J. Granada;J. Santisteban;F. Cantargi;L. A. R. Palomino
通讯作者：
J. Dawidowski;J. Granada;J. Santisteban;F. Cantargi;L. A. R. Palomino
影响因子：
3.7
作者：
O. Alves-Santos;E. F. Silva;M. Gamino;R. Cunha;J. Mendes;R. L. Rodríguez-Suárez;S. Rezende;A. Azevedo
通讯作者：
O. Alves-Santos;E. F. Silva;M. Gamino;R. Cunha;J. Mendes;R. L. Rodríguez-Suárez;S. Rezende;A. Azevedo
影响因子：
8.6
作者：
Liu, Luqiao;Moriyama, Takahiro;Buhrman, R. A.
通讯作者：
Buhrman, R. A.
DOI：
10.17877/de290r-11474
发表时间：
2001
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Heinrich;R. Urban;G. Woltersdorf
通讯作者：
B. Heinrich;R. Urban;G. Woltersdorf
影响因子：
3.2
作者：
Azevedo, A;Leao, LHV;Rezende, SM
通讯作者：
Rezende, SM