Sb dissociative surface coverage model for incorporation of antimony in GaAsSb layers grown on GaAs (0 0 1) substrates
Sb dissociative surface coverage model for incorporation of antimony in GaAsSb layers grown on GaAs (0 0 1) substrates
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用于在 GaAs (001) 衬底上生长的 GaAsSb 层中掺入锑的 Sb 离解表面覆盖模型
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.125231
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发表时间：
2019
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Bremner
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zewen Zhang;K. Ghosh;N. Faleev;H. Wang;C. Honsberg;P. Reece;S. Bremner
Sb 表面偏析对 InAsSb 中生长的 MBE 相分离的影响
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
Journal of Crystal Growth 237-239
影响因子：
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作者：
H.Miyoshi;R.Suzuki;H.Amano;Y.Horikoshi
通讯作者：
Y.Horikoshi