Effect of double-stacked active layer on stability of Si-IZO thin-film transistor
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DOI：
10.1016/j.mee.2017.05.014
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发表时间：
2017-06
影响因子：
2.3
通讯作者：
Yooseong Lim;Namgyung Hwang;M. Yi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yooseong Lim;Namgyung Hwang;M. Yi
