LPE growth of high quality InxGa1-xAs bridge layers on III-V patterned substrates, Recent Research Development in Crystal Growth Research
LPE growth of high quality InxGa1-xAs bridge layers on III-V patterned substrates, Recent Research Development in Crystal Growth Research
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III-V 图案衬底上高质量 InxGa1-xAs 桥接层的 LPE 生长，晶体生长研究的最新研究进展
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Kumagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Hayakawa;K.Balakrishnan;S.Iida;M.Kumagawa
