D.Lee et al.: "Phosphorus Doping in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH_4-GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H?2 Gas System"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40, Part1, No.4B. 2697-2700 (2001)
D.Lee et al.: "Phosphorus Doping in Si_<1-x-y>Ge_xC_y Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH_4-GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H?2 Gas System"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.40, Part1, No.4B. 2697-2700 (2001)
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D.Lee等：“使用SiH_4-GeH_4-CH_3SiH_3-PH_3-H 2 气体系统通过低压化学气相沉积进行Si_<1-x-y>Ge_xC_y外延生长中的磷掺杂”Jpn.J.Appl.Phys
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