Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET
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DOI：
10.1016/j.sse.2010.07.001
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发表时间：
2010-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hayashi;S. Kishimoto;T. Mizutani
