Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上のGaN成長
Si基板表面炭化により形成したSiC薄膜上のGaN成長
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通过 Si 衬底表面碳化形成的 SiC 薄膜上的 GaN 生长
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huihong Liu;Murat Isik;Mitsuo Niinomi;Peng Chen;Takao Hanawa;Tomoya Nagira;Hidetoshi Fujii;出浦 桃子，朱 逸夫，百瀬 健，霜垣 幸浩
