Epitaxial growth of strained Si1−yCy films by the hot-wire cell method and its application to metal oxide semiconductor devices
Epitaxial growth of strained Si1−yCy films by the hot-wire cell method and its application to metal oxide semiconductor devices
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热线槽法外延生长应变Si1−yCy薄膜及其在金属氧化物半导体器件中的应用
DOI：
10.1016/s0040-6090(03)00082-8
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
M. Konagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Watahiki;K. Abe;A. Yamada;M. Konagai
