InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
InAlAs選択酸化によるIII-V MOS界面構造の形成
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InAlAs选择性氧化形成III-V MOS界面结构
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中川翔太;横山正史;市川磨;秦雅彦;田中雅明;竹中充;高木信一
