STEADY HYDRODYNAMIC MODEL OF SEMICONDUCTORS WITH SONIC BOUNDARY: (I) SUBSONIC DOPING PROFILE
STEADY HYDRODYNAMIC MODEL OF SEMICONDUCTORS WITH SONIC BOUNDARY: (I) SUBSONIC DOPING PROFILE
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具有声波边界的半导体稳态流体动力学模型：（I）亚声速掺杂分布
DOI：
10.1137/17m1127235
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发表时间：
2017
影响因子：
2
通讯作者：
Zhang Kaijun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Jingyu;Mei Ming;Zhang Guojing;Zhang Kaijun
