Impacts of Annealing Temperature and Atmosphere on (111) and (100) n-Ge MOS Interface Properties with Plasma Oxidation GeOx and ALD Al2O3
Impacts of Annealing Temperature and Atmosphere on (111) and (100) n-Ge MOS Interface Properties with Plasma Oxidation GeOx and ALD Al2O3
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退火温度和气氛对等离子氧化 GeOx 和 ALD Al2O3 的 (111) 和 (100) n-Ge MOS 界面性能的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Han;C.-T. Chen;M. Ke;Z. Zhao;K. Toprasertpong;M. Takenaka;and S. Takagi
