Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)
Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)
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InN和InGaN生长在器件应用方面的最新进展（特邀）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Muto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nanishi;T. Araki;T. Yamaguchi;D. Muto
