Silicide formation at the Ti/Si(111) interface: Room-temperature reaction and Schottky-barrier formation.
Silicide formation at the Ti/Si(111) interface: Room-temperature reaction and Schottky-barrier formation.
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Ti/Si(111) 界面硅化物的形成：室温反应和肖特基势垒的形成。
DOI：
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Weaver
中科院分区：
文献类型：
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作者：
del Giudice M;Joyce;Ruckman;Weaver
