Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing
Improvement of Electrical Stability of ALD-Al203/GaN Interface by UV/03 Oxidation and Postdeposition Annealing
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通过 UV/03 氧化和沉积后退火提高 ALD-Al2O3/GaN 界面的电稳定性
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Manato Deki、Kazushi Sone、Kenta Watanabe;Fumiya Watanabe;Kentaro Nagamatsu;Atsushi Tanaka;Maki Kushimoto;Shugo Nitta;Yoshio Honda;and Hiroshi Amano
