価電子帯の異方性を考慮したp型4H-SiCにおけるHall因子・正孔移動度の理論解析
価電子帯の異方性を考慮したp型4H-SiCにおけるHall因子・正孔移動度の理論解析
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考虑价带各向异性的p型4H-SiC霍尔因子和空穴迁移率的理论分析
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中一;浅田聡志;木本恒暢;須田淳
