Increasing Static Noise Margin of Single-bit-line SRAM by Lowering Bit-line Voltage during Reading
Increasing Static Noise Margin of Single-bit-line SRAM by Lowering Bit-line Voltage during Reading
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通过降低读取期间的位线电压来增加单位线 SRAM 的静态噪声容限
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Matsuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Nakata;H. Suzuki;H. Makino;S. Mutoh;M. Miyama;and Y. Matsuda
