Magneto-optics from type-II single quantum dots

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II 型单量子点磁光

DOI：
10.1002/pssc.200304035
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Medeiros
G. Medeiros
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
M. Godoy;M. Nakaema;F. Iikawa;M. Brasil;J. Bortoleto;M. Cotta;E. Ribeiro;G. Medeiros

文献摘要

被引文献

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我们研究了单个InP量子点嵌入GaAs中，使用微光致发光作为激发强度的函数。InP/GaAs点表现出II型能带对准，这导致载流子的空间分离。磁场对这些II型量子点的影响也通过显微光致发光测量进行了研究。（© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
We investigated single InP quantum dots embedded in GaAs using micro-photoluminescence as a function of the excitation intensity. InP/GaAs dots exhibit a type-II band alignment, which leads to a spatial separation of the carriers. The effect of a magnetic field on these type-II quantum dots were also investigated through micro-photoluminescence measurements. (© 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)