Formation of nanopores utilizing SiC heteroepitaxial growth on SOI(100) : Pit faced orientation
Formation of nanopores utilizing SiC heteroepitaxial growth on SOI(100) : Pit faced orientation
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利用 SOI(100) 上 SiC 异质外延生长形成纳米孔：坑面取向
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本岡輝昭
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yahaya Hafizal;崎田博文;西野勇太;生駒嘉史;本岡輝昭
