Growth of high-quality DAST crystals for THz applications
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.04.052
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发表时间：
2006-07
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Brahadeeswaran;S. Onduka;M. Takagi;Yoshinori Takahashi;H. Adachi;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Brahadeeswaran;S. Onduka;M. Takagi;Yoshinori Takahashi;H. Adachi;M. Yoshimura;Y. Mori;T. Sasaki
