Low Temperature Passivation Effect of a-Si＆ SiNx : H Double Layer Deposited on Cz Si by Using RF-Remote PECVD Method
Low Temperature Passivation Effect of a-Si＆ SiNx : H Double Layer Deposited on Cz Si by Using RF-Remote PECVD Method
复制标题
a-Si＆SiNx 的低温钝化效果：射频远程 PECVD 方法在 Cz Si 上沉积 H 双层
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Arifuku
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Kawachi;M. Joen;K. Kamisako;N.Arifuku;N.Arifuku
