ESD robustness improving for the low-voltage triggering silicon-controlled rectifier by adding NWell at cathode
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DOI：
10.1016/j.sse.2017.09.013
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发表时间：
2018
影响因子：
1.7
通讯作者：
Xiangliang Jin;Zheng Yifei;Yang Wang;Guan Jian;Shanwan Hao;Kan Li;Jun Luo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiangliang Jin;Zheng Yifei;Yang Wang;Guan Jian;Shanwan Hao;Kan Li;Jun Luo
