Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化
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基于 Ag-Ge-Sb-Te 的 CBRAM 中射频输入引起的直流电阻变化
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中岡 俊裕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
殷 ユウヒ;塚本 慶人;林 等;中岡 俊裕
