Koji AIZAWA, Hiroshi ISHIWARA: "Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates"Ferroelectrics. 271. 173-178 (2002)
Koji AIZAWA, Hiroshi ISHIWARA: "Memory effect in ferroelectric-gate field effect transistors using 0.1μm-thick silicon-on-insulator substrates"Ferroelectrics. 271. 173-178 (2002)
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Koji AIZAWA、Hiroshi ISHIWARA：“使用 0.1μm 厚绝缘体上硅基板的铁电栅极场效应晶体管中的记忆效应”Ferroelectrics。 271. 173-178 (2002)
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