M.Matsuyama, ...M.Matsumura: "Hetero Atomic-Layer epitaxy of Ge on Si(100)"Japanese Journal of Applicd Physics. 39. 2536-2541 (2000)
M.Matsuyama, ...M.Matsumura: "Hetero Atomic-Layer epitaxy of Ge on Si(100)"Japanese Journal of Applicd Physics. 39. 2536-2541 (2000)
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M.Matsuyama，...M.Matsumura：“Si(100) 上 Ge 的异质原子层外延”日本应用物理学杂志。
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