M. Noda, K. Kodama, I. Ikeuchi, M. Takahashi and M. Okuyama: "A Significant Improvement in Memory Retention of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure for One Transistor-Type Ferroelectric Memory by Rapid Thermal Annealing"Japanese Journal o
M. Noda, K. Kodama, I. Ikeuchi, M. Takahashi and M. Okuyama: "A Significant Improvement in Memory Retention of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure for One Transistor-Type Ferroelectric Memory by Rapid Thermal Annealing"Japanese Journal o
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M. Noda、K. Kodama、I. Ikeuchi、M. Takahashi 和 M. Okuyama：“通过快速热退火对单一晶体管型铁电存储器的金属-铁电-绝缘体-半导体结构的记忆保留进行显着改进”日本期刊
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