Carbonincorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMH or DMH as N precursor
Carbonincorporation process in GaAsN films grown by chemical beam epitaxy using MMH or DMH as N precursor
复制标题
使用 MMH 或 DMH 作为 N 前体通过化学束外延生长的 GaAsN 薄膜中的碳掺入过程
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and M. Yamaguchi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Suzuki;K. Nishimura;H. S. Lee;Y. Ohshita;and M. Yamaguchi
