The Improved Characteristics through Laser Annealing for the Transparent Conducting Films Prepared by the Laser Ablation Method
The Improved Characteristics through Laser Annealing for the Transparent Conducting Films Prepared by the Laser Ablation Method
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激光烧蚀法制备透明导电薄膜通过激光退火改善特性
DOI：
10.3131/jvsj.47.183
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Okuda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shigeyasu Hoki;A. Suzuki;T. Aoki;T. Matushita;M. Okuda
近 年,デ ィス プ レ イ分 野 で は液 晶 デ ィス プ レ イ (LCD)及 びプラズマデ ィスプ レイ(PDP)が 飛躍的 に 広 ま り,将 来は有機ELデ ィスプレイが有望視 されてい る.こ れ らのデ ィスプレイではほ とん どガラス基板 が用 い られてお り,こ のガラス基板 をプラスチ ックな どの基 板 に代 えることがで きれば,コ ス トパ フォーマンスの向 上や製品の軽量化が可能 となる.し かし,こ れ らのデ ィ スプ レイの電極 として用 いられてい る一般的に良好 な透 明導電膜 の作製 には通常200°C 以上 の基板温度が必要 と な る.そ こで成膜技術 の低温化 を確立す ることに より今 まで用い られなかったプラスチ ックなどの耐熱性の低い 材料 を透 明導 電膜 の基板 として用 い るこ とが可能 とな る. 我 々は,従 来 よ り透明導電 膜の室 温成膜 を 目指 し, レーザー アブ レーシ ョン法において種 々成膜条件を変化 させ実験 を行 って きた1).今 回は,レ ーザーアブ レーシ ョン法 に よ り作 製 したITO透 明導 電膜2)に レーザ ーア ニール3-5)を施 し,抵 抗 率を下げ る ことを 目的 とし様 々 な実験 を行 った.ま た,デ バ イスに応用 するにあた り, 表面 の平滑 さが要求 され るためアニールのエ ッチン グ効 果 に よる膜 の表面荒 さの改善 も目指 して実験 を行 った. * 平成15年11月13日 第44回 真空 に関す る連合講演会で発表(13P-50) *1 大阪産業大学工学 部電気電子工学科(〒574-8530 大阪府大東 市中垣 内3-1-1) *2 大阪府立大学工 学部電子物理工学科(〒593-8531 大阪府堺 市学園町 1-1)