Control of Photocurrent and Multi-State Memory by Polar Order Engineering in 2H-Stacked α-In2Se3 Ferroelectric
Control of Photocurrent and Multi-State Memory by Polar Order Engineering in 2H-Stacked α-In2Se3 Ferroelectric
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2H 堆叠 α-In2Se3 铁电体中光电流和多态记忆的控制
DOI：
10.1007/s40843-021-1920-9
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xiaohong Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baohua Lv;Wuhong Xue;Zhi Yan;Ruilong Yang;Hao Wu;Peng Wang;Yuying Zhang;Jiani Hou;Wenguang Zhu;Xiaohong Xu
中国科学院材料2022，65（6）：1639-1645
Sci China Mater 2022, 65(6): 1639–1645