Efficient second to ninth harmonic generation using megawatt peak power microchip laser.
Efficient second to ninth harmonic generation using megawatt peak power microchip laser.
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使用兆瓦峰值功率微芯片激光器产生高效的二次至九次谐波。
DOI：
10.1364/oe.21.028849
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
T. Taira
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Bhandari;N. Tsuji;T. Suzuki;M. Nishifuji;T. Taira
报道了一台兆瓦级峰值功率的高效率二次至九次谐波激光器的设计和应用。我们发现，在100ps到1 ns之间的亚纳秒脉宽区域非常适合于有效的波长转换。利用这一特性，我们报道了使用三硼酸锂(LBO)产生二次谐波的效率为85%，使用BBO的四次谐波产生效率为60%，使用I型和II型LBO的红外至紫外三次谐波产生效率为44%。最后，我们报道了利用微芯片激光器在氙气中产生118 nm真空紫外光的首次演示。
We report the design and use of a megawatt peak power Nd:YAG/Cr4+:YAG microchip laser for efficient second to ninth harmonic generation. We show that the sub-nanosecond pulse width region, between 100 ps and 1 ns, is ideally suited for efficient wavelength conversion. Using this feature, we report 85% second harmonic generation efficiency using lithium triborate (LBO), 60% fourth harmonic generation efficiency usingß-barium borate, and 44% IR to UV third harmonic generation efficiency using Type I and Type II LBO. Finally, we report the first demonstration of 118 nm VUV generation in xenon gas using a microchip laser.
影响因子：
2.8
作者：
T. Taira
通讯作者：
T. Taira