Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
复制标题
具有部分凹进栅极的 GaN 基 MIS HEMT 中的捕获和可靠性问题
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Zanoni
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Meneghesso;M. Meneghini;D. Bisi;I. Rossetto;Tian;M. V. Hove;D. Marcon;S. Stoffels;S. Decoutere;E. Zanoni
