Electrical Characteristics of Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using ITO Channel

Electrical Characteristics of Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors using ITO Channel
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使用 ITO 通道的铁电栅薄膜晶体管的电气特性

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
2004 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVISES-SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF 2004)
影响因子：
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通讯作者：
Masaru Senoo
Masaru Senoo
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
井坂勉;長谷川晶一;寺島俊介;関井康雄;林友直;Hirokazu SAIKI;Takaaki MIYASAKO;Makoto Nakayama;Hirokazu Saiki;E.Tokumitsu;Masaru Senoo

文献摘要

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