Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3
Evidence of layer-by-layer oxidation of Ge surfaces by plasma oxidation through Al2O3
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通过 Al2O3 等离子氧化对 Ge 表面进行逐层氧化的证据
DOI：
10.1149/05009.0699ecst
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Takenaka and S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R.Zhang;P.-C.Huang;M.Takenaka and S.Takagi
使用 XPS 对 Ge (100) 和 (111) 表面上形成的超薄 GeOx/Ge 界面进行了表征。在Ge MOS界面的后等离子体氧化过程中，分别在约0.3和约0.5 nm的周期内观察到Ge（100）表面上的Ge 1+ 和 2+ 态以及Ge（111）表面上的Ge 1+ 和 3+ 态的振荡行为。这些现象强烈表明Ge(100)和(111)表面上GeOx/Ge界面的原子逐层氧化。
The ultrathin GeOx/Ge interfaces formed on Ge (100) and (111) surfaces have been characterized using XPS. The oscillating behaviors of the Ge 1+ and the 2+ states on Ge (100) surfaces and the Ge 1+ and the 3+ states on Ge (111) surfaces are observed in period of~ 0.3 and~ 0.5 nm, respectively, during the post plasma oxidation of the Ge MOS interfaces. These phenomena strongly suggest an atomic layer-by-layer oxidation of GeOx/Ge interfaces on both Ge (100) and (111) surfaces.