Plasma-assisted MBE of InGaN epilayers with atomically smooth and nanocolumnar morphology, grown on MOVPE GaN/Al2O3 templates
Plasma-assisted MBE of InGaN epilayers with atomically smooth and nanocolumnar morphology, grown on MOVPE GaN/Al2O3 templates
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在 MOVPE GaN/Al2O3 模板上生长的具有原子级光滑和纳米柱状形态的 InGaN 外延层的等离子体辅助 MBE
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.158
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发表时间：
2007
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. J. Kim
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V. Jmerik;A. Mizerov;T. Shubina;M. Yagovkina;V. B. Listoshin;A. Sitnikova;S. Ivanov;Min Ho Kim;M. Koike;B. J. Kim
