Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation
Leakage Current Reduction of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Using Sacrificial Oxidation
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利用牺牲氧化降低 4H-SiC 肖特基势垒二极管的漏电流
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takamaro Kikkawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin-Ichiro Kuroki;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;and Takamaro Kikkawa
