A.Ito,K.Tsuji,T.Hosomi,T.Maki and T.Kobayashi: "Improved stability of Metal-Insulator-Diamond Semiconductor Interface by Employing CaF2/thin BaF2 Composite Insulator Film"Jpn.J.Appl.Phys.. 39,8. 4755-4756 (2000)
A.Ito,K.Tsuji,T.Hosomi,T.Maki and T.Kobayashi: "Improved stability of Metal-Insulator-Diamond Semiconductor Interface by Employing CaF2/thin BaF2 Composite Insulator Film"Jpn.J.Appl.Phys.. 39,8. 4755-4756 (2000)
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A.Ito、K.Tsuji、T.Hosomi、T.Maki 和 T.Kobayashi：“通过采用 CaF2/薄 BaF2 复合绝缘膜提高金属-绝缘体-金刚石半导体界面的稳定性”Jpn.J.Appl.Phys..
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