III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性
III-V族半導体量子ドットにおける励起子ラビ振動のパルス幅依存性
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III-V 族半导体量子点中激子拉比振荡的脉冲宽度依赖性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大谷直毅
中科院分区：
文献类型：
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作者：
朝倉健太;三森康義;小坂英男;枝松圭一;赤羽浩一;山本直克;佐々木雅英;大谷直毅
