Preparation and photoelectric property of a Cu2FeSnS4 nanowire array
Preparation and photoelectric property of a Cu2FeSnS4 nanowire array
复制标题
Cu2FeSnS4纳米线阵列的制备及其光电性能
DOI：
10.1039/c4ra05878j
复制
发表时间：
2014-09
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Li Yanan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Liang;Li Yanan
采用溶液法制备了单晶Cu 2FeSnS 4纳米线阵列。多孔阳极氧化铝被用作形貌导向模板，并在单晶Cu 2FeSnS 4纳米线的形成中发挥了重要作用。所制备的Cu 2FeSnS 4纳米线具有均匀的[110]生长方向。采用X射线粉末衍射仪、透射电镜、能谱仪、扫描电镜和紫外-可见分光光度计对样品的结构、形貌、组成和光吸收性能进行了表征。讨论了Cu 2FeSnS 4纳米线阵列的形成机理。由Cu 2FeSnS 4单晶纳米线制备的薄膜显示出明显的光电响应，表明其作为低成本太阳能吸收材料的潜在应用。
A single crystalline Cu2FeSnS4 nanowires array has been prepared via a convenient solution approach. Porous anodic aluminum oxide was used as a morphology directing template and played a significant role in the formation of single crystalline Cu2FeSnS4 nanowires. The as-prepared Cu2FeSnS4 nanowires are uniform with a [110] growth direction. Structure, morphology, composition and optical absorption properties of the as-prepared samples were characterized with X-ray powder diffraction, transmission electron microscopy, energy dispersive X-ray spectrometry, scanning electron microscopy and UV-Vis spectrophotometry. The formation mechanism of Cu2FeSnS4 nanowires array has been discussed. Thin films prepared from Cu2FeSnS4 single crystalline nanowires displayed an obvious photoelectric response, suggesting their potential application as low cost solar absorber materials.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
C. Domain;S. Laribi;S. Taunier;J. Guillemoles
通讯作者：
C. Domain;S. Laribi;S. Taunier;J. Guillemoles
影响因子：
5.4
作者：
Gui, Z;Fan, R;Wang, ZZ
通讯作者：
Wang, ZZ
影响因子：
56.9
作者：
T. Mallouk
通讯作者：
T. Mallouk
影响因子：
6.7
作者：
Jackson, Philip;Hariskos, Dimitrios;Powalla, Michael
通讯作者：
Powalla, Michael
影响因子：
4.9
作者：
Chang Yan;Chun Huang;Jia Yang;Fang-yang Liu;Jin Liu;Y. Lai;Jie Li;Ye-xiang Liu
通讯作者：
Chang Yan;Chun Huang;Jia Yang;Fang-yang Liu;Jin Liu;Y. Lai;Jie Li;Ye-xiang Liu